IGBT模塊的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線(xiàn)。伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。作為開(kāi)關(guān)器件穩態(tài)時(shí)主要工作在飽和導通區。
IGBT模塊的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線(xiàn)。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開(kāi)啟電壓VGE（th）時(shí)，處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線(xiàn)性關(guān)系。
