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IGBT電鍍模塊工作原理
（1）方法
        IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS（on）特性，但是在高電平時(shí)，功率導通損耗仍然要比IGBT技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉換成一個(gè)低VCE（sat）的能力，以及IGBT的結構，同一個(gè)標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化IGBT驅動(dòng)器的原理圖。